[发明专利]半导体存储器件无效
| 申请号： | 200610008869.6 | 申请日： | 2003-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN1822213A | 公开（公告）日： | 2006-08-23 |
| 发明（设计）人： | 加藤好治;小村一史;川本悟 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11C7/08 | 分类号： | G11C7/08 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 张浩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种具有用于提供电能的驱动器晶体管的半导体存储器件，其可以在非激活过程中减少泄漏电流，并且在激活过程中保证用于读出放大器的足够供电能力。栅极宽度被与位线方向相垂直地提供在每两个位线对间距处，并且电源电压VDD和参考电压VSS被馈送到PMOS晶体管SP0、SP0至SP3、SP3以及NMOS晶体管SN0、SN0至SN3、SN3。在驱动器专用MOS晶体管P1、P2和NMOS晶体管N1、N2中，以两个位线对间距为最大值而调节栅极宽度，并且使用调节区ΔL来调节栅极长度，从而可以获得对于保证足够的电流提供能力和减小拖尾电流这种互为相反的特性获得在适当调节状态下的驱动器专用MOS晶体管P1、P2、N1和N2。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件，其中包括：多个读出放大器块，每个读出放大器块在同一个区域中具有预定数目的读出放大器以及用于把电能提供到该预定数目的读出放大器的驱动器专用MOS晶体管；以及低电阻布线层，用于通过连接在预定数目的读出放大器的电源端之间，或连接在该读出放大器块中的各个驱动器专用MOS晶体管的一个电源输出端和另一电源输出端之间，而连接在该读出放大器块之间。
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