[发明专利]薄膜晶体管、其制备方法以及使用该晶体管的平板显示器有效

专利信息
申请号: 200610008933.0 申请日: 2006-01-14
公开(公告)号: CN1828963A 公开(公告)日: 2006-09-06
发明(设计)人: 徐旼彻;苏明燮;具在本;杨南喆 申请(专利权)人: 三星SDI株式会社
主分类号: H01L51/05 分类号: H01L51/05;H01L51/40;H01L29/786;H01L21/336;H01L27/32
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 王景朝
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 提供一种薄膜晶体管、其制备方法以及使用该晶体管的平板显示器。薄膜晶体管包括栅极、与栅极绝缘的源极和漏极、与栅极绝缘并电连接到源极和漏极上的半导体层、绝缘层、介于半导体层和绝缘层之间并阻止电子或空穴迁移通过半导体层而被捕获到绝缘层中的载流子阻挡层。由于所述薄膜晶体管的构造可使得载流子阻挡层位于半导体层和绝缘层之间,可阻止注入到半导体层中的电子和空穴被捕获到绝缘层中,从而抑制了磁滞特性。另外,使用所述薄膜晶体管可制造可靠的平板显示器器件。
搜索关键词: 薄膜晶体管 制备 方法 以及 使用 晶体管 平板 显示器
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管,其包括:栅极;与所述栅极绝缘的源极和漏极;与所述栅极绝缘并且电连接到所述源极和漏极上的半导体层;使所述栅极与所述源极和漏极或所述半导体层绝缘的绝缘层;和介于所述半导体层和所述绝缘层之间的载流子阻挡层。
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