[发明专利]通过循环沉积制备金属硅氮化物薄膜的方法有效
| 申请号： | 200610008986.2 | 申请日： | 2006-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN1821440A | 公开（公告）日： | 2006-08-23 |
| 发明（设计）人： | 雷新建;H·思里丹达姆;K·S·库思尔;A·K·霍奇伯格 | 申请（专利权）人： | 气体产品与化学公司 |
| 主分类号： | C23C16/448 | 分类号： | C23C16/448;C23C16/52;C23C16/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 范赤;赵苏林 |
| 地址： | 美国宾夕*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及通过循环沉积前体生产三元金属硅氮化物薄膜的改进方法。其改进在于使用金属氨化物和具有NH与SiH官能团的硅源作为前体，从而形成上述的金属－SiN薄膜。通过循环沉积将该前体顺序施加在基底的表面上。示范性的硅源是下式表示的单烷基氨基硅烷和肼基硅烷：(R1NH)nSiR2mH4－n－m(n＝1、2；m＝0、1、2；n+m＝＜3)；和(R32N－NH)xSiR4yH4－x－y (x＝1、2；y＝0、1、2；x+y＝＜3)其中在上式中R1－4相同或不同，各自独立地选自烷基、乙烯基、烯丙基、苯基、环烷基、氟代烷基、甲硅烷基烷基。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 循环 沉积 制备 金属硅 氮化物 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1、一种在基底上形成金属硅氮化物薄膜的循环沉积方法，包括以下步骤：将金属氨化物引入到沉积室，并在热的基底上沉积一薄膜；吹扫沉积室以除去未反应的金属氨化物和任何副产物；将含有N-H片段和Si-H片段的硅化合物引入到沉积室中，并在热的基底上沉积一薄膜；吹扫沉积室以除去任何未反应的化合物和副产物；和重复该循环沉积工艺直到达到预定的薄膜厚度。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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