[发明专利]金属和含硅部件的组件的扩散阻挡层及其形成方法无效
| 申请号： | 200610009071.3 | 申请日： | 2006-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN1821445A | 公开（公告）日： | 2006-08-23 |
| 发明（设计）人： | K·L·卢思拉;D·W·麦基 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | C23C28/04 | 分类号： | C23C28/04;C23C14/08;F02C7/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨松龄 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种抑制硅从含硅材料的部件(12)扩散到支承结构(14)及其组件(10)的方法。部件(12)支承和接触于支承结构(14)，其间形成接触界面。阻挡涂层(18)设置在元件(12)和/或支承结构(14)上，以便位于接触界面，防止含硅材料和超合金基体之间直接物理接触。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 部件 组件 扩散 阻挡 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种组件(10)，具有支承和接触于支承结构(14)的部件(12)，部件和支承结构之间形成接触界面，所述部件(12)由含硅材料形成，支承结构(14)具有超合金基体，其特征在于，所述组件(10)包括：阻挡涂层(18)，设置在部件(12)和支承结构(14)中至少一个上，所述阻挡涂层(18)主要包括氧化物，其比二氧化硅更加热稳定，所述阻挡层(18)位于接触界面，可防止所述含硅材料和所述超合金基体之间直接物理接触，阻止硅从含硅材料扩散到所述超合金基体。
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