[发明专利]采用深沟槽隔离的图像传感器无效
| 申请号： | 200610009134.5 | 申请日： | 2006-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN1832187A | 公开（公告）日： | 2006-09-13 |
| 发明（设计）人： | 霍华德·E·罗德斯 | 申请（专利权）人： | 豪威科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 | 代理人： | 戴建波 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种图像传感器，其包括形成在半导体基体上的像素阵列，该像素阵列也可以形成在半导体基体上的外延层中。其中，若干像素可以在外延层中形成也可以直接在半导体基体上形成并排列成一定图样，并进一步在半导体基体内形成深沟槽隔离，该深沟槽隔离将若干像素中的相邻像素予以分隔，而且该深沟槽隔离可以基本上延伸穿透整个外延层。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 深沟 隔离 图像传感器 | ||
【主权项】：
1、一种像素阵列，其包括：形成在半导体基体内并排列成一定图案的若干像素；形成在所述半导体基体内的深沟槽隔离，所述的深沟槽隔离分隔至少一部分所述若干像素中的相邻像素，而且所述的深沟槽隔离向所述半导体基体延伸大于1微米的深度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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