[发明专利]图像传感器中采用化学机械抛光的自对准金属硅化物工艺有效
| 申请号： | 200610009135.X | 申请日： | 2006-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN1832136A | 公开（公告）日： | 2006-09-13 |
| 发明（设计）人： | 霍华德·E·罗德斯 | 申请（专利权）人： | 豪威科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 | 代理人： | 戴建波 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在CMOS图像传感器上形成硅化物的自对准金属硅化物工艺方法，该方法可与传统的CMOS图像传感器处理工艺相统一。其中，绝缘层沉积在图像传感器的像素阵列上方；有机层沉积在该绝缘层上方；进行化学机械抛光，除去凸起多晶硅结构上方的有机层；采用有机层作掩模，除去部分的绝缘层；沉积金属层；使金属层退火而形成金属硅化物。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 采用 化学 机械抛光 对准 金属硅 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种在硅基体中的像素阵列上形成硅化物的方法，所述像素阵列具有至少一个凸起的多晶硅结构，该方法包括：在所述的像素阵列上方形成绝缘层；在所述的绝缘层上方形成有机层；对所述的有机层进行化学机械抛光处理，直到暴露出所述凸起的多晶硅结构的上表面；在所述的绝缘层与所述凸起的多晶硅结构的暴露上表面的上方形成金属层；以及通过使所述金属层退火而形成金属硅化物，所述的金属硅化物形成在所述的金属层与所述凸起的多晶硅结构的暴露上表面相接触的地方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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