[发明专利]半导体存储器器件无效
| 申请号： | 200610009243.7 | 申请日： | 2006-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN1822229A | 公开（公告）日： | 2006-08-23 |
| 发明（设计）人： | 小谷秀人;三嶌智史;土岐和启;春山星秀 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 黄小临;王志森 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 通过使用用于监控重写状态的电路和用于对应于重写操作次数而改变读取条件的电路，基于监控重写状态的结果来优化数据“0”和数据“1”二者的可靠性容限或者数据“0”或数据“1”之一的可靠性容限，以实现高可靠性和较大的重写操作次数。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 器件 | ||
【主权项】：
1.一种电可重写半导体存储器器件，包括：可重写非易失性半导体存储器；测量单元，用于测量在重写所述非易失性半导体存储器后的数据的阈值电压；以及，调整单元，用于基于由所述测量单元获取的重写状态的测量结果而调整读取条件，以便与重写操作次数对应。
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