[发明专利]具有信号延迟控制器的半导体存储器件及其方法无效
| 申请号： | 200610009251.1 | 申请日： | 2006-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN1825480A | 公开（公告）日： | 2006-08-30 |
| 发明（设计）人： | 南正植;宋浩圣 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/409 | 分类号： | G11C11/409;G11C11/419;G11C7/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 郭定辉;黄小临 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体存储器件可以具有存储单元阵列，在行和列的交叉处置有各个存储单元。半导体存储器件还可以包括至少一个译码器和至少一个延迟控制器。译码器可以选择存储单元的行或列。信号延迟控制器可以基于与所选的行或列相关联的至少一个存储单元的位置和所选存储单元的线负载电容值中的至少一个，控制由至少一个译码器施加到行或列的激活信号的延迟。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 信号 延迟 控制器 半导体 存储 器件 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种包括至少一个存储单元阵列的半导体存储器件，存储单元阵列具有位于行和列交叉处的存储单元，该器件包括：至少一个译码器，用于选择与至少一个存储单元相关联的至少一行或至少一列；和至少一个信号延迟控制器，用于基于与所选的行或列相关联的至少一个存储单元的位置和所选存储单元的线负载电容值中的至少一个，控制由至少一个译码器施加到行或列的激活信号的延迟。
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