[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

在晶片级芯片封装的半导体装置中，由于半导体衬底(60)为由间隙孔(80)分离的结构，故需要由树脂层(78)支承在同一平面上，但由于与绝缘膜(74)粘接，且为均匀的厚度，故存在不能得到足够的强度的实用上的大问题。同时形成通孔(35)和分离槽(30)，而省去两者的对位，其中，通孔设于第二区域(13、14)，形成贯通电极(27、28)，分离槽将第一区域(12)和第二区域(13、14)分离。

主权项

1、一种半导体装置的制造方法，其具有：在主面上具有用于形成电路元件的第一区域、和在所述第一区域周边与所述第一区域以一定间隔分开配置的多个第二区域的半导体衬底的上面形成外延层的工序；在所述第一区域的所述外延层上形成电路元件的工序；在所述外延层的所述第一区域和第二区域的分界形成阶梯部分的工序；在所述外延层的所述第二区域形成从表面到达所述半导体衬底的通孔和从所述阶梯部分到达所述半导体衬底的分离槽，并在所述通孔内形成由金属构成的贯通电极的工序；在所述外延层表面形成用于将所述电路元件的电极和所述贯通电极电连接的连接装置，并在所述外延层表面形成一体地支承所述第一区域及第二区域的树脂层，提高与所述阶梯部分的附着性的工序；从背面研削所述半导体衬底，使其变薄，使所述贯通电极和所述分离槽从所述第二区域的背面露出，将所述第一区域的所述半导体衬底和所述第二区域的所述半导体衬底电分离，形成由所述第二区域的所述半导体衬底构成的外部连接用电极的工序。