[发明专利]半导体集成电路及其制造方法和制造装置无效
| 申请号： | 200610009273.8 | 申请日： | 2002-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN1835191A | 公开（公告）日： | 2006-09-20 |
| 发明（设计）人： | 谏田诚 | 申请（专利权）人： | 夏普公司 |
| 主分类号： | H01L21/288 | 分类号： | H01L21/288;H01L21/768;H01L21/82;C25D7/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在具备设置在储存镀液的电镀槽部上的阳极电极和与晶片的被镀覆面连接的阴极电极的半导体集成电路的制造装置中，还具备感应线圈和高频电源。而且，该半导体集成电路的制造装置由发生在上述感应线圈内的磁场和上述被镀覆面的电流而产生电磁力，用该电磁力一边使上述晶片振动，一边用电解镀覆法在该晶片上形成凸点电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 及其 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成电路的制造装置，它是具备设置在储存镀液(6)的电镀槽部(7)上的阳极(4)和与半导体衬底(11)的被镀覆面连接的阴极(5)，用电解镀覆法使电流流过设在上述镀液(6)中的半导体衬底(11)的上述被镀覆面，在该半导体衬底(11)上形成凸点电极(13)的半导体集成电路的制造装置(1)，其特征在于：具备当形成上述凸点电极(13)时、能使上述半导体衬底(11)在上下方向振动的衬底振动装置(8、9)；上述衬底振动装置(8、9)具备由电磁力使上述半导体衬底振动的感应线圈(8)，以及向上述感应线圈供给高频电流的高频电源(9)；上述感应线圈(8)离开与上述电镀槽部(7)一侧相反的一侧的上述半导体衬底(11)面一个规定的间隔而设置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
