[发明专利]电源电压递降电路、延迟电路以及具有后者的半导体装置无效
| 申请号： | 200610009347.8 | 申请日： | 2006-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN1829083A | 公开（公告）日： | 2006-09-06 |
| 发明（设计）人： | 广部后纪;石川透 | 申请（专利权）人： | 尔必达存储器株式会社 |
| 主分类号： | H03K5/13 | 分类号： | H03K5/13;H03K17/28 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 杨林森;谷惠敏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种延迟电路，其具有由NMOS或PMOS晶体管支配的电路结构。所述延迟电路被供应作为电源电压的电源电压递降电路的输出电压，所述电源电压递降电路具有：电平生成电路，用于生成基准电压，其通过偏移电压和制造变化相关电压获得；以及m倍电压生成电路。一种半导体装置包括所述延迟电路。 | ||
| 搜索关键词： | 电源 电压 递降 电路 延迟 以及 具有 后者 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种电源电压递降电路，包括：电平生成电路，用于生成通过相加偏移电压和制造变化相关电压获得的基准电压；以及m倍电压生成电路，用于产生通过用m乘以所述基准电压获得的电压，其中m是正数。
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