[发明专利]制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200610009462.5 | 申请日： | 2006-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN1897246A | 公开（公告）日： | 2007-01-17 |
| 发明（设计）人： | 中田英俊 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 利用光刻胶(41)作为掩模在绝缘层(23)和导电层(32)上执行刻蚀，以在导电层(32)中形成开口(51)。在去除光刻胶(41)之后，在所有区域上都形成另一绝缘层(24)，将其回蚀，以暴露导电层(31)的表面，以便由此覆盖开口(51)的内壁。然后，利用后一绝缘层(24)作为掩模在导电层(31)上执行刻蚀，以在导电层(31)中形成另一开口(52)。然后，在所有区域上都形成另一绝缘层(25)，然后将其回蚀，以暴露导电层(32)的表面，以便由此利用最后形成的绝缘层(25)填充开口(52)。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：准备半导体衬底，其上顺序形成由导电膜构成的第一层、由绝缘膜构成的第二层、以及对所述第二层具有刻蚀选择性的第三层；在所述第三层中形成第一上开口；形成第一掩模绝缘膜，以覆盖所述第一上开口的内壁；利用所述第一掩模绝缘膜作为掩模，在所述第一层中形成第一下开口，以使其与所述第一上开口连通；形成第一埋入绝缘膜，以填充所述第一下开口；在所述第一埋入绝缘膜的所述形成之后，通过利用刻蚀选择性地去除所述第三层，形成第二上开口；形成第二掩模绝缘膜，以覆盖所述第二上开口的内壁；利用所述第二掩模绝缘膜作为掩模，在所述第一层中形成第二下开口，以使其与所述第二上开口连通；以及形成第二埋入绝缘膜，以填充所述第二下开口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
