[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200610009472.9 | 申请日： | 2006-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN1832130A | 公开（公告）日： | 2006-09-13 |
| 发明（设计）人： | 宇佐美达矢;大音光市;竹胁利至 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/321;H01L23/522 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 关兆辉;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 将包括含硅化合物的第一气体引入到真空室中，以便将放置在该室中的半导体衬底暴露于第一气体环境中(硅处理步骤)。然后将真空室内的压力减小到低于开始硅处理步骤时的压力的水平(减压步骤)。此后，将包括含氮化合物的第二气体引入到真空室中，并用第二气体的等离子体辐照半导体衬底(氮等离子体步骤)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：将具有基本由含铜金属构成的导电层的半导体衬底放置在真空室中，该导电层暴露在所述半导体衬底的表面上；将基本由含硅化合物构成的第一气体引入所述真空室中，以便将所述半导体衬底暴露在所述第一气体的环境中；在所述引入所述第一气体的步骤之后，将所述真空室中的压力减小到第二压力，该第二压力低于开始所述第一气体的所述引入时设置的所述真空室中的第一压力；以及在所述减小所述真空室中压力的步骤之后，将基本由含氮化合物构成的第二气体引入所述真空室中，以便用所述第二气体的等离子体辐照所述半导体衬底。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于恩益禧电子股份有限公司，未经恩益禧电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610009472.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：耐温耐压氧化膜铝线铝箔的生产方法
- 下一篇：图像拾取装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
