[发明专利]防止热电子程序扰动现象的非易失性存储器装置及方法无效
| 申请号： | 200610009487.5 | 申请日： | 2006-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN1848297A | 公开（公告）日： | 2006-10-18 |
| 发明（设计）人： | 朱锡镇 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 蒲迈文;黄小临 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种在NAND闪存装置中防止产生热电子所致的程序扰动的方法。一低于一施加至其它字线的程序抑制电压的信道升压防扰电压被施加至耦接至离选择晶体管最近的存储器单元的边缘字线。结果，一介于耦接至所述边缘字线的所述存储器单元与所述选择晶体管之间的电场减弱，且热电子的能量减小。 | ||
| 搜索关键词： | 防止 热电 子程序 扰动 现象 非易失性存储器 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种防止一非易失性存储器装置的热电子程序扰动的方法，该方法包含：将一第一组存储器单元的信道升压至一第一电压，该第一组存储器单元耦接至N个字线的第一及第N字线，其中该第一组存储器单元被串联耦接在一第一选择晶体管与一第二选择晶体管之间，该第一选择晶体管及该第二选择晶体管耦接至一第一位线，其中该第二选择晶体管耦接至一共享源极线；以及将一第二组存储器单元的信道升压至一第二电压，该第二组存储器单元耦接至除该第一字线、该第N字线及一程序字线以外的多个其余字线，其中该第二组存储器单元耦接至该第一位线，其中该第一电压低于该第二电压，其中该N是一正整数。
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