[发明专利]低激励电压和精确控制相移特性的MEMS毫米波移相器

摘要

低激励电压和精确控制相移特性的MEMS毫米波移相器，涉及一种移相器。针对现有的MEMS移相器存在激励电压过高、移相精度偏低的问题，本发明提供一种激励电压低和相移控制精确的MEMS毫米波移相器，它在地线(3)上固定有电感量在10nH以上的电感线圈(8)，电感线圈(8)与地线(3)之间设有绝缘层(7)，所述电感线圈(8)与金属弹簧(6)的一端连接，金属弹簧(6)的另一端与金属桥(4)连接并对金属桥(4)进行支撑，在金属桥(4)下方的信号线(2)的上表面设置有介电常数ε₁为：2≤ε述移相器不但具有宽频带、低损耗等电气特性，而且进一步降低了激励电压和提高了相位控制精度，并且成本低、体积小，利于推广应用。

主权项

1.一种低激励电压和精确控制相移特性的MEMS毫米波移相器，它包括底部基板(1)，在底部基板(1)上间隔设置有信号线(2)和地线(3)，它还包括跨越信号线(2)正上方的金属桥(4)，其特征在于所述地线(3)上固定有电感量在10nH以上的电感线圈(8)，电感线圈(8)与地线(3)之间设有绝缘层(7)，所述电感线圈(8)与金属弹簧(6)的一端连接，金属弹簧(6)的另一端与金属桥(4)连接并对金属桥(4)进行支撑，在金属桥(4)下方的信号线(2)的上表面设置有介电常数εr为：2≤εr≤20的介质基片(5)。