[发明专利]一种离子液体电沉积金属钴的方法无效
申请号: | 200610010063.0 | 申请日: | 2006-05-19 |
公开(公告)号: | CN1884622A | 公开(公告)日: | 2006-12-27 |
发明(设计)人: | 杨培霞;安茂忠 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | C25C1/08 | 分类号: | C25C1/08 |
代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 | 代理人: | 单军 |
地址: | 150001黑龙江*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种离子液体电沉积金属钴的方法,它涉及一种离子液体电沉积金属的方法。它解决了目前用含EMIC的离子液体电沉积钴的方法在基体表面容易形成合金沉积层的缺陷。本发明的离子液体电沉积金属钴的方法按以下步骤进行:(一)EMIC、无水氯化钴和有机醇按1∶0.3~2∶2.5~18的摩尔比混合;(二)将基体放入离子液体电沉积液,采用电流密度为30~150A/m2、温度为60~100℃的恒电流电沉积,阳极不与离子液体电沉积液发生化学反应,阳极与基体间的距离为1~10cm;(三)将带有电沉积层的基体从离子液体电沉积液中取出后依次用乙醇和蒸馏水冲洗,再经过干燥,即在基体表面得到钴沉积层;其中步骤(一)在真空手套箱中进行。本发明可在基体上电沉积得到均匀的、具有金属光泽的纯钴沉积层。 | ||
搜索关键词: | 一种 离子 液体 沉积 金属 方法 | ||
【主权项】:
1、一种离子液体电沉积金属钴的方法,其特征在于离子液体电沉积金属钴的方法按以下步骤进行:(一)EMIC、无水氯化钴和在室温条件下为液态、浓度为分析纯的有机醇按1∶0.3~2∶2.5~18的摩尔比混合,配制成离子液体电沉积液;(二)将经过预处理的基体放入离子液体电沉积液,采用电流密度为30~150A/m2的恒电流方式电沉积,电沉积阳极不与离子液体电沉积液发生化学反应,阳极与基体之间的距离为1~10cm,电沉积温度为60~100℃;(三)将带有电沉积层的基体从离子液体电沉积液中取出后依次用乙醇和蒸馏水冲洗,再经过干燥,即在基体表面得到钴沉积层;其中步骤(一)在真空手套箱中进行。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨工业大学,未经哈尔滨工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200610010063.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。