[发明专利]基于微光学阵列多点曝光的极坐标直接写入方法及装置无效
| 申请号： | 200610010129.6 | 申请日： | 2006-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN1858650A | 公开（公告）日： | 2006-11-08 |
| 发明（设计）人： | 谭久彬;单明广;刘俭 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G02F1/01 |
| 代理公司： | 哈尔滨东方专利事务所 | 代理人： | 陈晓光 |
| 地址： | 150080黑龙江省哈尔滨市*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 基于微光学阵列多点曝光的极坐标直接写入方法及装置。本发明属于超精密激光直接写入式微结构和微阵列光学器件制作领域。本发明的方法：首先，通过光强宏微双重调制分束的方法，使在每一环带内产生与径向位置成正比的写入光强，满足极坐标系中光调制系统宽的动态调制范围和快的调制反应速度的要求，可显著提高曝光光强的调制分辨力；其次，通过微光学阵列聚焦写入激光，在曝光基片上形成以确定方式排列的曝光点组合点阵；同时，通过依据回转工作台的回转扫描方式的曝光点组合点阵的联动控制，完成任意浮雕图形的曝光制作。本发明还提供一种基于微光学阵列多点曝光的极坐标直接写入装置。本发明用作多点曝光的极坐标直接写入。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 微光 阵列 多点 曝光 坐标 直接 写入 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种基于微光学阵列多点曝光的极坐标直接写入方法，其特征是：首先，通过光强宏微双重调制分束的方法，使在每一环带内产生与径向位置成正比的写入光强；其次，通过微光学阵列聚焦写入激光，在曝光基片上形成以确定方式排列的曝光点组合点阵；同时，通过依据回转工作台的回转扫描方式的曝光点组合点阵的联动控制，完成浮雕图形的曝光制作。
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