[发明专利]一种低温活性真空扩散连接陶瓷的方法

摘要

一种低温活性真空扩散连接陶瓷的方法，属于陶瓷焊接领域。为了解决现有陶瓷扩散连接技术中扩散连接温度高、扩散连接压力大的技术不足，本发明采用TiH₂粉作为扩散连接中间层，TiH₂粉在真空扩散连接加热过程中发生脱氢，即TiH₂从500℃～800℃经历TiH₂→Ti_x→α－Ti的连续脱氢过程，TiH₂脱氢完全后可得到有效的活性Ti，它作为活性中间层存在于被连接材料的界面，由于金属Ti粉很细，可达到纳米级，因此具有较大的表面能，可以在相对较低的温度下实现陶瓷接头可靠的扩散连接。同时由于Ti颗粒中间层中存在一定的孔隙，且具有较大的塑性，也可以更好的缓和陶瓷与金属异种材料连接接头的内应力。

主权项

1、一种低温活性真空扩散连接陶瓷的方法，其特征在于所述方法为：a、扩散连接前对母材表面进行物理清理或化学清理；b、把TiH2粉均匀的置于待焊母材的连接面上；c、在室温下给母材两端施加400～800MPa的压力，加压时间10～30min，使得TiH2粉中间层的孔隙率可保持在5％～10％之间；d、将夹装好的焊件置于真空扩散焊机内进行加热，在真空度为1×10-5～3×10-5Torr真空条件下进行扩散连接；e、焊接结束后焊件在原真空条件下降温至100℃时撤压，降温到室温时，取出焊件。