[发明专利]采用无氯烷氧基硅烷制备多晶硅的方法

摘要

采用无氯烷氧基硅烷制备多晶硅的方法，它涉及多晶硅的制备方法。它解决了现有制备多晶硅中是采用高压、高温，需使用价格昂贵的设备以及高稳定性的高合金钢，耗能高，硅烷法为粒状多晶硅表面大、易污染，而且工艺过程中采用了氯化物，对人的危害及设备腐蚀严重的问题。方法为：1.采用工业硅和乙醇为原料通过相互作用来制取三乙氧基硅烷；2.采用吸附或蒸馏提纯法分离三乙氧基硅烷；3.将分离出来的三乙氧基硅烷在常压和60～110℃条件下催化歧化，制取甲硅烷；4.采用吸收或吸附法进行甲硅烷提纯；5.将提纯的甲硅烷在硅芯板底经通过热解后进入反应器制备出多晶硅。本发明制备多晶硅的过程中不采用氯元素，生态性好、能耗低，产品的质量好。

主权项

1、采用无氯烷氧基硅烷制备多晶硅的方法，其特征在于该方法的步骤如下：步骤一、采用工业硅和乙醇通过相互作用来制取三乙氧基硅烷，原料为纯乙醇和硅粉，硅粉经干燥、纯度为99％、粒度为50～200目硅粉，在常压和180～250℃的温度下，在加入含铜系催化剂的高沸点溶剂多环芳香化合物或十二烷基苯中进行，硅转化率为90～95％，乙醇转化率为90％，乙醇通过蒸馏回收循环利用；步骤二、采用吸附或蒸馏提纯法，去除四乙氧基硅烷，分离出三乙氧基硅烷；步骤三、将步骤二分离出来的三乙氧基硅烷在常压和60～110℃条件下用液体催化剂进行催化歧化，制得甲硅烷；液体催化剂主剂采用氟化钾，辅助催化剂为十八冠醚6；步骤四、采用吸收或吸附法对步骤三制得的甲硅烷进行提纯；步骤五、将提纯的甲硅烷在硅芯板底经750～850℃热解后进入反应器制备出多晶硅。