[发明专利]一种以蒙脱土为模板制备高分子单链单晶的方法无效

专利信息
申请号: 200610011137.2 申请日: 2006-01-09
公开(公告)号: CN1807704A 公开(公告)日: 2006-07-26
发明(设计)人: 王戈;杨穆;冯莉 申请(专利权)人: 北京科技大学
主分类号: C30B29/58 分类号: C30B29/58
代理公司: 北京科大华谊专利代理事务所 代理人: 刘月娥
地址: 100083*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种以蒙脱土为模板制备高分子单链单晶的方,属于高分子单链单晶合成的技术领域。采用蒙脱土为模板,将阳离子聚合物单体通过离子交换作用引入到蒙脱土层板中,通过静电作用实现了单体在模板中的规则有序排布。加入引发剂引发聚合后,蒙脱土中得到的聚合物有别于常规聚合反应得到的聚合物,而是结构规整的单晶,然后将其从蒙脱土中释放收集。本发明的优点在于:制备工艺简单,易于操作控制,适用范围广泛。
搜索关键词: 一种 蒙脱土 模板 制备 高分子 单链单晶 方法
【主权项】:
1、一种以蒙脱土为模板制备高分子单链单晶的化学方法,采用蒙脱土为模板,将阴离子粘土蒙脱土的可插层性能应用到高分子聚合反应中,先将可聚合的阳离子单体通过离子交换插入到蒙脱土层间,通过静电作用组装使单体规则排布,然后引发单体聚合反应;得到的聚合物具有规整的结构,形成聚合物单晶,然后从蒙脱土模板中释放收集得到高分子单链单晶;制备步骤为:a.将阳离子单体加入到蒙脱土水溶液中,溶液中单体浓度为0.1-10.0wt%,蒙脱土浓度为1.0-10.0wt%,搅拌6~24小时进行离子交换,搅拌温度为10~80℃,然后用去离子水清洗除去模板外的单体,再在60~80℃干燥18~48h,得到层间客体为所插入阳离子单体的蒙脱土;b.将步骤a得到所插入阳离子单体的蒙脱土分散到去离子水中,模板浓度为1.0-10.0wt%,引发剂浓度为0.1-10.0wt%,加热反应2~48h,反应温度为40~80℃,使模板内的阳离子单体发生聚合反应,然后过滤、洗涤,并在60~80℃干燥18~48小时,得到层间客体为聚合物的蒙脱土;c.用浓度为1.0-40.0wt%氢氟酸将步骤b得到的蒙脱土的层板溶解,再用不良溶剂将聚合物从水溶液中沉析出来,洗涤干燥得到聚合物单链单晶。
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