[发明专利]一种集成的表面等离子波发生器无效
| 申请号： | 200610011188.5 | 申请日： | 2006-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN1804587A | 公开（公告）日： | 2006-07-19 |
| 发明（设计）人： | 黄翊东;刘仿;张巍;彭江得 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G01N21/41 | 分类号： | G01N21/41;G01N23/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于光电子技术领域，其特征在于，它把半导体激光二极管或者半导体发光二极管与金属薄膜同时集成在同一种衬底材料上，通过结构的设计和工艺调节，将半导体激光二极管或者半导体发光二极管的出射光场控制在金属的端面或者特定的表面位置，使其高效率地激励起金属膜表面的等离子场，这样就不需要外部的激励光源和棱镜等分离元器件，而且，不需要外部位置调节，稳定性好，器件的尺度可以小于1mm，为表面等离子波在信息、传感，特别是光子集成等领域中的实际应用提供可能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 表面 等离子 发生器 | ||
【主权项】：
1、一种集成的表面等离子波发生器，其特征在于，该表面等离子波发生器是一种由作为半导体有源发光器件的半导体激光二极管和金属薄膜在同一个InP材料衬底上集成，且通过从该金属薄膜端面激励的方法产生表面等离子波的集成器件，所述金属薄膜是下述金、银、铝、铜、钛、镍、铬中的任何一种的薄膜。
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