[发明专利]硅(102)衬底上生长的非极性A面氮化物薄膜及其制法和用途无效
| 申请号： | 200610011295.8 | 申请日： | 2006-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN101009347A | 公开（公告）日： | 2007-08-01 |
| 发明（设计）人： | 陈弘;贾海强;周均铭;郭丽伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L31/0248;H01L31/18;H01L21/3205;H01L21/20;H01S5/00;C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高存秀 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅(102)衬底上生长的非极性A面氮化物薄膜，包括一硅衬底、依次生长在其上的金属层、InGaAlN初始生长层和第一InGaAlN缓冲层，其特征在于：所述的硅衬底为采用(102)面或偏角的Si衬底。该硅衬底上生长的非极性(1120)A面氮化物薄膜可以应用于发光二极管、激光器、太阳能电池等领域。在其上依据不同的器件应用生长相应的器件外延结构，例如生长和制备的发光二极管和激光器，并进一步利用成熟的硅工艺，制备对应的双面电极器件或采用剥离工艺的器件。本发明可以有效提高非极性A面GaN基材料的生长质量，降低成本；并大幅简化现有器件工艺，降低成本，以及可以大幅度提高散热效率、发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 102 衬底 生长 极性 氮化物 薄膜 及其 制法 用途 | ||
【主权项】：
1、一种硅(102)衬底上生长的非极性A面氮化物薄膜，包括一硅衬底、依次生长在其上的金属层、InGaAlN初始生长层和第一InGaAlN缓冲层，其特征在于：所述的硅衬底为采用(102)面或偏角的Si衬底。
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