[发明专利]高饱和磁化强度的磁粉及其制备方法和用途无效

专利信息
申请号: 200610011304.3 申请日: 2006-01-27
公开(公告)号: CN101009151A 公开(公告)日: 2007-08-01
发明(设计)人: 宋宝珍;甘耀焜;唐清;李巧霞 申请(专利权)人: 中国科学院过程工程研究所
主分类号: H01F1/11 分类号: H01F1/11;H01F1/36;C01G49/08
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 代理人: 李柏
地址: 100080北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明属于磁性粉体材料领域,具体地说是涉及一种高饱和磁化强度的四氧化三铁磁粉及其制备方法和用途。本发明采用晶型转化一步法制备出了分散性良好、磁饱和强度在85emu/g以上,粒径0.15~0.4μm,矫顽力小于35Oe,比表面积为5~8m2/g的四氧化三铁磁粉。对制备出的四氧化三铁进行进一步氧化或还原还可制出分散性好、矫顽力高、饱和磁化强度高的γ-三氧化二铁和α-Fe磁粉。该磁粉在数码复印粉、磁记录材料和医用磁性粉体等领域有广泛应用。
搜索关键词: 饱和磁化强度 及其 制备 方法 用途
【主权项】:
1.一种高饱和磁化强度的磁粉,其特征是:该磁粉是饱和磁化强度大于85emu/g,粒径为0.15~0.4μm,矫顽力小于35Oe,比表面积为5~8m2/g的四氧化三铁磁粉。
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