[发明专利]金属栅/高K栅介质制备工艺及双金属栅CMOS的制备方法无效
| 申请号： | 200610011368.3 | 申请日： | 2006-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN1832113A | 公开（公告）日： | 2006-09-13 |
| 发明（设计）人： | 康晋锋;刘晓彦;张兴;韩汝琦;王阳元 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种金属栅/高K栅介质的制备方法，属于半导体集成电路及其制造技术领域。该方法包括：对衬底进行预栅工艺处理，然后利用MOCVD或ALD技术淀积Hf基高K栅介质；在淀积的Hf基高K栅介质层上，利用PVD或CVD方法顺序淀积HfN、TaN覆盖层；再利用快速热退火方法对TaN/HfN/Hf基高K栅介质结构进行高温退火，该TaN/HfN结构和高温过程可以在保证低的EOT(＜1nm)的条件下，获得高的可靠性；接着，利用湿法工艺除去TaN/HfN/Hf基高K栅介质结构中的TaN覆盖层和HfN覆盖层；在已去除掉TaN/HfN覆盖层的Hf基高K栅介质层上制备功函数合适的金属栅电极层，最终形成金属栅功函数可调制、EOT＜1nm、具有高迁移率和高可靠性的金属栅/高K栅介质结构。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 介质 制备 工艺 双金属 cmos 方法 | ||
【主权项】：
1、一种金属栅/高K栅介质结构的制备方法，其步骤包括：(1)在衬底淀积高K栅介质层，即对衬底进行预栅工艺处理后，利用MOCVD或ALD技术淀积Hf基高K栅介质层；(2)形成TaN/HfN/Hf基高K栅介质结构，即在淀积的Hf基高K栅介质层上，利用PVD或CVD方法顺序淀积HfN、TaN覆盖层；(3)利用快速热退火方法对TaN/HfN/Hf基高K栅介质结构进行高温退火；(4)利用湿法工艺除去TaN/HfN/Hf基高K栅介质结构中的TaN覆盖层和HfN覆盖层；(5)在已去除掉TaN/HfN覆盖层的Hf基高K栅介质层上制备功函数合适的金属栅电极层，形成金属栅/高K栅介质结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学，未经北京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610011368.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：图案形成方法、识别码形成方法以及液滴喷出装置
- 下一篇：绝对式多圈磁编码器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
