[发明专利]采用标准CMOS工艺制作的叉指型结构硅发光二极管无效
| 申请号： | 200610011448.9 | 申请日： | 2006-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN101034725A | 公开（公告）日： | 2007-09-12 |
| 发明（设计）人： | 陈弘达;刘海军;黄北举 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种采用标准CMOS工艺制作的叉指型结构硅发光二极管，包括：一P型硅衬底；一N阱阱制作在P型衬底上的中间部位；一N+叉指型扩散区制作在N阱内；一第一金属接触制作在该N+叉指型扩散区上；一P+叉指型扩散区制作在N阱内；一第二金属接触制作在该P+叉指型扩散区上；一P+扩散区保护环制作在P型Si衬底上；一第三金属接触制作在该P+扩散区保护环上的一侧；一二氧化硅层覆盖在器件结构的整个上表面；一第四金属接触制作在该P+扩散区保护环上的另一侧；在该二氧化硅层的中间制作形成一发光窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 标准 cmos 工艺 制作 叉指型 结构 发光二极管 | ||
【主权项】：
1、一种采用标准CMOS工艺制作的叉指型结构硅发光二极管，其特征在于，包括：一P型硅衬底；一N阱，该N阱制作在P型衬底上的中间部位；一N+叉指型扩散区，该N+叉指型扩散区制作在N阱内；一第一金属接触，该第一金属接触制作在该N+叉指型扩散区上；一P+叉指型扩散区，该P+叉指型扩散区制作在N阱内；一第二金属接触，该第二金属接触制作在该P+叉指型扩散区上；一P+扩散区保护环，该P+扩散区保护环制作在P型Si衬底上；一第三金属接触，该第三金属接触制作在该P+扩散区保护环上的一侧；一二氧化硅层，该二氧化硅层覆盖在器件结构的整个上表面；一第四金属接触，该第四金属接触制作在该P+扩散区保护环上的另一侧；在该二氧化硅层的中间制作形成一发光窗口。
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