[发明专利]一种适用于台阶结构的自对准掺杂工艺无效
| 申请号： | 200610011658.8 | 申请日： | 2006-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN101055334A | 公开（公告）日： | 2007-10-17 |
| 发明（设计）人： | 孙飞;余金中;陈少武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G02B6/13 | 分类号： | G02B6/13;G02B6/136;G03F7/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 段成云 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及光通讯系统技术领域，特别是一种适用于台阶结构的自对准掺杂工艺。包含以下步骤：(1)生成第一掩模层；(2)刻蚀形成台阶结构；(3)生成第二掩模层；(4)各向异性刻蚀第二掩模层；(5)形成掺杂区。在所述自对准工艺中，由于刻蚀所述第二掩模层时的各向异性，所述台阶的侧壁仍被掩蔽，而所述台阶上部被所述第一掩模层所掩蔽，因此所述台阶边缘与所述掺杂区边缘的间距取决于侧壁上第二掩模层的厚度，而不再由光刻套刻精度决定。这一间距可以得到大幅减小，从而有利于改善器件性能，提高器件成品率，降低生产成本。本发明适用于微电子、微机械系统、光通讯系统领域中的器件制作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 台阶 结构 对准 掺杂 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种适用于台阶结构的自对准掺杂工艺，其特征在于，包含以下步骤：(1)生成第一掩模层；(2)光刻定义台阶图形，刻蚀第一掩模层；(3)刻蚀形成台阶结构；(4)去除第一次光刻的残余光刻胶，保留剩余第一掩模层；(5)生成第二掩模层；(6)光刻定义掺杂区，用光刻胶作掩模各向异性刻蚀第二掩模层，形成掺杂区窗口；(7)利用(6)中所定义的窗口进行选择性掺杂形成掺杂区；在所述自对准工艺中，所述台阶边缘与所述掺杂区边缘的间距取决于所述第二掩模层的厚度，而不再由光刻套刻精度决定。
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