[发明专利]砷化镓/砷化铝分布布拉格反射镜的湿法腐蚀方法无效
申请号: | 200610011792.8 | 申请日: | 2006-04-26 |
公开(公告)号: | CN101064411A | 公开(公告)日: | 2007-10-31 |
发明(设计)人: | 李若园;徐波;王占国 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01S5/183 | 分类号: | H01S5/183;H01S5/187;C23F1/16;H01L21/3063 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汤保平 |
地址: | 100083北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种砷化镓/砷化铝分布布拉格反射镜的湿法腐蚀方法,其特征在于,包括如下步骤:(A)在衬底上,使用分子束外延的方法外延生长砷化镓缓冲层;(B)在砷化镓缓冲层上生长多个周期分布布拉格反射镜;(C)对分布布拉格反射镜进行光刻,形成光刻胶图形,该光刻胶图形中光具有光刻胶保护的条宽;(D)用腐蚀溶液腐蚀掉部分周期的分布布拉格反射镜;(E)然后交替使用腐蚀溶液和选择性腐蚀液分别腐蚀分布布拉格反射镜,以便能够精确达到所要求的腐蚀深度。 | ||
搜索关键词: | 砷化镓 砷化铝 分布 布拉格 反射 湿法 腐蚀 方法 | ||
【主权项】:
1、一种砷化镓/砷化铝分布布拉格反射镜的湿法腐蚀方法,其特征在于,包括如下步骤:(A)在衬底上,使用分子束外延的方法外延生长砷化镓缓冲层;(B)在砷化镓缓冲层上生长多个周期分布布拉格反射镜;(C)对分布布拉格反射镜进行光刻,形成光刻胶图形,该光刻胶图形中光具有光刻胶保护的条宽;(D)用腐蚀溶液腐蚀掉部分周期的分布布拉格反射镜;(E)然后交替使用腐蚀溶液和选择性腐蚀液分别腐蚀分布布拉格反射镜,以便能够精确达到所要求的腐蚀深度。
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