[发明专利]一种应用于快闪存储器的灵敏放大器电路无效

专利信息
申请号: 200610011812.1 申请日: 2006-04-28
公开(公告)号: CN1845253A 公开(公告)日: 2006-10-11
发明(设计)人: 杨光军;伍冬;潘立阳;朱钧 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: G11C11/419 分类号: G11C11/419
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100084北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种应用于快闪存储器的灵敏放大器电路属于快闪存储器设计,尤其涉及到低电源电压下快闪存储器中读取操作电路的设计。其特征在于,该电路中采用了双相位预充电路,由两个同步或异步信号控制的NMOS管组成两个预充路径,在对位线进行预充的同时,对限制预充电流的NMOS隔离管的栅端进行充电,使得隔离管能迅速达到最大导通状态,有利于对位线进行预充电,消除了预充电流的瓶颈,进而得到更快的预充速度。本发明还采用了自调节负载电路和两级箝位电路,实现了低电源电压下快闪存储器的快速读取,同时还提高了系统的噪声免疫能力。
搜索关键词: 一种 应用于 闪存 灵敏 放大器 电路
【主权项】:
1、一种应用于快闪存储器的灵敏放大器电路,含有负载电路、预充电路、和箝位电路,其中负载电路,含有一个PMOS管(MP1),其栅端连接所述预充电路,源端连接电源VDD,漏端连接比较器的数据线;预充电路,含有一个第一NMOS管(MN1),该第一NMOS管(MN1)的栅端连接预充信号,漏端连接电源VDD,源端连接所述PMOS管(MP1)的漏端;箝位电路,含有一个第一反相器(INV2)和第二NMOS管(MN3),所述第一反相器(INV2)的输入端接位线,输出端连接第二NMOS管(MN3)的栅端;所述第二NMOS管(MN3)的漏端连接所述PMOS管(MP1)的漏端,其源端连接位线;其特征在于,所述预充电路是双相位预充电路,它还含有一个第三NMOS管(MN2),该第三NMOS管(MN2)的栅端连接一个与所述第一NMOS管(MN1)的预充信号同步或异步的另一个预充信号,其漏端连接电源VDD,其源端连接所述第二NMOS管(MN3)的栅端。
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