[发明专利]用于半导体激光器中光栅制作的腐蚀液及制作方法有效
| 申请号： | 200610011983.4 | 申请日： | 2006-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN101078120A | 公开（公告）日： | 2007-11-28 |
| 发明（设计）人： | 付生辉;钟源;陈良惠 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C23F1/16 | 分类号： | C23F1/16;H01S5/323 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明一种用于半导体激光器中光栅制作的腐蚀液，其特征在于，该腐蚀溶液是按体积比为：Br2∶HBr∶H2O＝1∶25∶480配制的混合溶液。本发明的有益效果是在GaInP材料上腐蚀出较好得光栅形貌，从而得到了好得器件性能。同时，该腐蚀液还可用于其它III－V族化合物半导体材料的腐蚀，具有广泛的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体激光器 光栅 制作 腐蚀 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于半导体激光器中光栅制作的腐蚀液，其特征在于，该腐蚀溶液是按体积比为：Br2∶HBr∶H2O＝1∶25∶480配制的混合溶液。
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