[发明专利]一种结合压印技术制备各向异性有机场效应管的方法有效

专利信息
申请号: 200610012052.6 申请日: 2006-05-31
公开(公告)号: CN101083302A 公开(公告)日: 2007-12-05
发明(设计)人: 商立伟;涂德钰;王丛舜;刘明 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: H01L51/40 分类号: H01L51/40
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 段成云
地址: 100029*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明属于有机半导体学中的微细加工领域,特别涉及一种结合压印技术制备各向异性有机场效应管的方法。其步骤如下:1.在导电基底上制备绝缘介质层;2.在绝缘介质层薄膜表面上沉积生长第一层有机半导体薄膜;3.利用模板压印有机薄膜,把设计的模板图形转移到第一层有机薄膜上;4.沉积生长第二层同质有机物薄膜;5.通过镂空的掩模版沉积源漏金属电极,完成各向异性有机场效应管的制备。
搜索关键词: 一种 结合 压印 技术 制备 各向异性 有机 场效应 方法
【主权项】:
1,一种结合压印技术制备各向异性有机场效应管的方法,是由一次绝缘介质沉积,两次有机半导体薄膜沉积,一次压印和一次金属沉积,获得各向异性的有机场效应管,其特征在于,其步骤如下:步骤1、在导电基底上制备绝缘介质层;步骤2、在绝缘介质层薄膜表面上蒸发沉积第一层有机半导体薄膜;步骤3、利用模板压印有机薄膜,把设计的模板图形转移到第一层有机薄膜上;步骤4、在有图形的第一层有机薄膜表面上蒸发沉积生长第二层同质有机物薄膜;步骤5、通过镂空的掩模版沉积源漏金属电极,完成各向异性有机场效应管的制备。
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