[发明专利]一种闪存存储单元结构及其制备方法有效
| 申请号： | 200610012185.3 | 申请日： | 2006-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN1870297A | 公开（公告）日： | 2006-11-29 |
| 发明（设计）人： | 蔡一茂;黄如;单晓楠;周发龙;李炎;王阳元 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种闪存存储单元及其制备方法，属于非挥发性半导体存储器技术领域。与传统的闪存存储单元相比，本发明采用两层氮化硅作为浮栅，在横向和纵向上分别存储两位数据，实现了每个闪存存储单元能存储四位数据的功能，大大地增加了闪存的存储密度。在相同工艺条件下，存储密度是一般多晶硅浮栅闪存的4倍，是NROM闪存的2倍。而且其浮栅由靠近源区、漏区的两部分组成，并从物理上隔离开来，可以有效地抑制单元两端存储数据之间的串扰影响。本发明工艺简单，和传统CMOS工艺兼容，也没有增加光刻次数，从而降低了存储成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 闪存 存储 单元 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种闪存存储单元，是由多晶硅控制栅、源区、漏区和存储电荷的浮栅组成，其特征在于：浮栅是由分别靠近源区、漏区的两部分构成，两部分浮栅被多晶硅控制栅隔离，每部分浮栅由可存储电荷的两层氮化硅组成，上、下氮化硅层之间设有隔离氧化层。
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