[发明专利]一种硅基平面侧栅单电子晶体管及其制作方法无效
| 申请号： | 200610012246.6 | 申请日： | 2006-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN101090134A | 公开（公告）日： | 2007-12-19 |
| 发明（设计）人： | 龙世兵;陈杰智;李志刚;刘明;陈宝钦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅基平面侧栅单电子晶体管，包括：库仑岛，位于库仑岛两侧的源和漏，连接库仑岛与源和漏的两个隧道结，位于库仑岛两侧且垂直于源和漏所在方向上的两个侧栅，源上沉积的源电极，漏上沉积的漏电极，以及侧栅上沉积的栅电极。本发明同时公开了一种硅基平面侧栅单电子晶体管的制作方法。利用本发明，大大提高了单电子晶体管的可靠性及与传统CMOS工艺的兼容性，并简化了制作工艺，降低了制作成本，提高了制作效率，非常有利于本发明的广泛推广和应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平面 侧栅单 电子 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种硅基平面侧栅单电子晶体管，其特征在于，该单电子晶体管包括：库仑岛，位于库仑岛两侧的源和漏，连接库仑岛与源和漏的两个隧道结，位于库仑岛两侧且垂直于源和漏所在方向上的两个侧栅，源上沉积的源电极，漏上沉积的漏电极，以及侧栅上沉积的栅电极。
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