[发明专利]镁二次电池无效
| 申请号： | 200610013233.0 | 申请日： | 2006-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN1905251A | 公开（公告）日： | 2007-01-31 |
| 发明（设计）人： | 焦丽芳;袁华堂;王一菁 | 申请（专利权）人： | 南开大学 |
| 主分类号： | H01M4/48 | 分类号： | H01M4/48;H01M4/36;H01M4/04;C01G31/00;B82B3/00;C01G39/00;H01M10/04;H01M10/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300071天津市卫津路94号*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及镁二次电池，它是以钒氧化物纳米管或钼的氧化物活性材料为正极，镁为负极，Mg(AlBu2Cl2) 2作为电解质的电解液和隔膜celgard 2300构成；所述的钒氧化物纳米管包括金属阳离子掺杂的钒氧化物纳米管，掺杂金属阳离子的量为钒氧化物摩尔的10～30％。掺杂为铜或银。本发明的电池具有较高的初始放电比容量和高倍率放电性能。本发明具有价格便宜，安全性好等优点，作为动力电池，具有极大的应用和开发前景。 | ||
| 搜索关键词： | 二次 电池 | ||
【主权项】：
1、一种镁二次电池，其特征在于它是以钒氧化物纳米管或钼的氧化物活性材料为正极，镁为负极，Mg(AlBu2Cl2)2作为电解质的电解液和隔膜构成；所述的钒氧化物纳米管具有典型的层状结构，纳米管长1-3μm，内径15-40nm，外径60-100nm，并且为开口的，层间距约为3.5nm；所述的钼的氧化物是微米级棒状MoO3或薄层状MoO3。
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