[发明专利]气相掺杂区熔硅单晶的生产方法有效
| 申请号： | 200610013497.6 | 申请日： | 2006-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN1865531A | 公开（公告）日： | 2006-11-22 |
| 发明（设计）人： | 沈浩平;刘为钢;高树良;王聚安;昝兴立;李翔 | 申请（专利权）人： | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B13/12 | 分类号： | C30B13/12 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王凤英 |
| 地址： | 300384天津市华*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅单晶的生产方法，特别涉及一种气相掺杂区熔硅单晶的生产方法。该方法包括抽空充气、掺杂及等径生长工艺，其特征在于：在所述的等径生长工艺中，利用区熔硅单晶炉电气控制系统进行如下操作：当按下触摸屏给定下转电机正向、反向运动及加热线圈移动的指令后，下转电机带动单晶按照设定的时间进行正向反向运动；正向转动1～90秒后再变回反向转动，如此往复运动；加热线圈移动后，使加热线圈的中心与下轴的中心重合或偏离1－50mm。经本方法生产的区熔硅单晶，降低了硅单晶的径向及轴向电阻率不均匀性问题，提高了硅单晶的稳定性及可靠性。从而满足了用户对气相掺杂区熔硅单晶的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 区熔硅单晶 生产 方法 | ||
【主权项】：
1.一种气相掺杂区熔硅单晶的生产方法，包括抽空充气、掺杂及等径生长工艺，其特征在于：在所述的等径生长工艺中，利用区熔硅单晶炉电气控制系统进行如下操作：当按下触摸屏给定下转电机正向、反向运动及加热线圈移动的指令后，下转电机带动单晶按照设定的时间进行正向反向运动；正向转动1～90秒后再变回反向转动，如此往复运动；加热线圈移动后，使加热线圈的中心与下轴的中心重合或偏离1-50mm。
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