[发明专利]具有三层单元结构的锂离子二次电池负极材料及制备方法无效

专利信息
申请号: 200610013871.2 申请日: 2006-05-26
公开(公告)号: CN1870325A 公开(公告)日: 2006-11-29
发明(设计)人: 杨化滨;宋英杰;张宏芳;伏萍萍;周作祥 申请(专利权)人: 南开大学
主分类号: H01M4/02 分类号: H01M4/02;H01M4/38;H01M4/04;C23C14/35
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 300071天津市卫津路94号*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明涉及具有三层单元结构的锂离子二次电池负极(阳极)材料及制备方法。这种材料的特征在于具有硅/金属/硅(Si/M/Si)的三层单元结构,即活性物质层可以由一个该单元结构构成,也可以由多个该单元构成,并采用镀膜的方法(如磁控溅射法等)在铜箔、镍箔、镀铜或镀镍的铁箔基体上覆盖Si/M/Si材料制成电极,其中M是与锂反应和不与锂反应的金属元素。在本发明中,导电性良好的金属M的引入,可以有效改善电极活性材料硅的导电性,从而抑制了电极的电压滞后现象,并缓冲了活性物质硅的品格膨胀,达到可制备较厚的活性物质硅的目的。本发明应用于锂离子二次电池中,可显著提高其比能量。
搜索关键词: 具有 三层 单元 结构 锂离子 二次 电池 负极 材料 制备 方法
【主权项】:
1、一种锂离子二次电池负极材料,它是在基体上覆盖有活性物质层,其特征在于该活性物质层采用镀膜法制备,具有一个或一个以上的Si/M/Si的三层单元结构,其中,M=Ti、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、W、Ca、Al、Mg、Ag、Zn、Ge、Sn、Pb、Bi、Sb或In。
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