[发明专利]用于大规模集成电路多层布线中钨插塞的抛光液无效

专利信息
申请号: 200610013976.8 申请日: 2006-05-31
公开(公告)号: CN1858130A 公开(公告)日: 2006-11-08
发明(设计)人: 刘玉岭;贾英茜 申请(专利权)人: 河北工业大学
主分类号: C09G1/02 分类号: C09G1/02;C09G1/18;H01L21/768
代理公司: 天津市三利专利商标代理有限公司 代理人: 刘英兰
地址: 30013*** 国省代码: 天津;12
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种用于大规模集成电路多层布线中钨插塞的抛光液,其特征在于:抛光液的组分重量%如下:磨料50-90,乙二胺四乙酸四(四羟乙基乙二胺) 0.5-5,氧化剂0.5-4,表面活性剂0.1-10,去离子水余量。将上述各组分逐级混合,搅拌均匀即可。磨料为硅溶胶,其加入量视硅溶胶的浓度选择配比。该抛光液中以乙二胺四乙酸四(四羟乙基乙二胺)作为pH值调节剂、缓冲剂和螯合剂,以不含金属离子的过氧化物为氧化剂,对抛光设备无腐蚀,后清洗简单;可有效降低金属离子沾污,抛光表面效果好,从而提高器件的可靠性。该抛光液污染小、利于环保,成本低、应用广泛。
搜索关键词: 用于 大规模集成电路 多层 布线 中钨插塞 抛光
【主权项】:
1.一种用于大规模集成电路多层布线中钨插塞的抛光液,其特征在于:抛光液的组分重量%如下:磨料 50-90,乙二胺四乙酸四(四羟乙基乙二胺) 0.5-5,氧化剂 0.5-4,表面活性剂 0.1-10,去离子水 余量;将上述各组分逐级混合,搅拌均匀即可。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于河北工业大学,未经河北工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200610013976.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top