[发明专利]用于大规模集成电路多层布线中钨插塞的抛光液无效
申请号: | 200610013976.8 | 申请日: | 2006-05-31 |
公开(公告)号: | CN1858130A | 公开(公告)日: | 2006-11-08 |
发明(设计)人: | 刘玉岭;贾英茜 | 申请(专利权)人: | 河北工业大学 |
主分类号: | C09G1/02 | 分类号: | C09G1/02;C09G1/18;H01L21/768 |
代理公司: | 天津市三利专利商标代理有限公司 | 代理人: | 刘英兰 |
地址: | 30013*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明涉及一种用于大规模集成电路多层布线中钨插塞的抛光液,其特征在于:抛光液的组分重量%如下:磨料50-90,乙二胺四乙酸四(四羟乙基乙二胺) 0.5-5,氧化剂0.5-4,表面活性剂0.1-10,去离子水余量。将上述各组分逐级混合,搅拌均匀即可。磨料为硅溶胶,其加入量视硅溶胶的浓度选择配比。该抛光液中以乙二胺四乙酸四(四羟乙基乙二胺)作为pH值调节剂、缓冲剂和螯合剂,以不含金属离子的过氧化物为氧化剂,对抛光设备无腐蚀,后清洗简单;可有效降低金属离子沾污,抛光表面效果好,从而提高器件的可靠性。该抛光液污染小、利于环保,成本低、应用广泛。 | ||
搜索关键词: | 用于 大规模集成电路 多层 布线 中钨插塞 抛光 | ||
【主权项】:
1.一种用于大规模集成电路多层布线中钨插塞的抛光液,其特征在于:抛光液的组分重量%如下:磨料 50-90,乙二胺四乙酸四(四羟乙基乙二胺) 0.5-5,氧化剂 0.5-4,表面活性剂 0.1-10,去离子水 余量;将上述各组分逐级混合,搅拌均匀即可。
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