[发明专利]用于铌酸锂光学晶片研磨抛光的抛光液无效
| 申请号： | 200610013977.2 | 申请日： | 2006-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN1858131A | 公开（公告）日： | 2006-11-08 |
| 发明（设计）人： | 刘玉岭;武晓玲 | 申请（专利权）人： | 河北工业大学 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;C09G1/04;B24B13/00 |
| 代理公司： | 天津市三利专利商标代理有限公司 | 代理人： | 闫俊芬 |
| 地址： | 30013*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于铌酸锂光学晶片研磨抛光的抛光液。本发明抛光液成分和体积％比组成如下：硅溶胶30～90；有机胺碱1～10；无机碱1～5；活性剂0.5～5；螯合剂FA/O 0.5～5；去离子水为余量。本发明在CMP条件下，在高pH值条件下，将锂离子形成极稳定的络合物和形成易溶于水的铌酸盐，提高效率和表面质量；本发明通过有机碱与铌酸锂表面物质形成可溶性胺盐，易于脱离反应表面，从而避免增加磨料粒度和抛光液的黏度，有效地解决了划伤、平整性和吸附物去除问题。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 铌酸锂 光学 晶片 研磨 抛光 | ||
【主权项】：
1.一种用于铌酸锂光学晶片研磨抛光的抛光液，其特征是，所述抛光液的成分和体积％比组成如下：硅溶胶30～90； 有机胺碱1～10；无机碱1～5； 活性剂0.5～5；鳌合剂FA/O 0.5～5； 去离子水余量。
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