[发明专利]计算机硬盘基片抛光速率的控制方法无效
| 申请号： | 200610014293.4 | 申请日： | 2006-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN1861319A | 公开（公告）日： | 2006-11-15 |
| 发明（设计）人： | 刘玉岭;刘长宇 | 申请（专利权）人： | 天津晶岭微电子材料有限公司 |
| 主分类号： | B24B29/02 | 分类号： | B24B29/02;C09G1/02;C09G1/04 |
| 代理公司： | 天津市三利专利商标代理有限公司 | 代理人： | 闫俊芬 |
| 地址： | 300384天津市高技*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种计算机硬盘基片抛光速率的控制方法。包括以下步骤，其中原料为重量％：将粒径20～60nm的SiO2溶胶用去离子水稀释，去离子水含量5～50％；边搅拌边加入1～10％的醇醚类表面活性剂、1～10％的FA/O螯合剂；用pH调节剂使pH值在11.5～13.5范围内；加入10～25ml的氧化剂；使用上述抛光液在40～60℃温度、40～120rpm转速、0.1～0.2MPa、200～800ml/min流量的抛光工艺条件下，在抛光机上对基片进行抛光8～10min。本发明用于提高存储器硬盘的磁盘基片的去除速率，使用碱性抛光液同时解决现有的以三氧化二铝为磨料的酸性抛光液的所存在的高损伤和凸凹选择比差问题。 | ||
| 搜索关键词： | 计算机 硬盘 抛光 速率 控制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种计算机硬盘基片抛光速率的控制方法，其特征是，包括以下步骤，其中原料为重量％：(1)将粒径20～60nm的SiO2磨料用去离子水稀释，去离子水含量5～50％；(2)边搅拌边加入1～10％的醇醚类表面活性剂；(3)边搅拌边加入1～10％的FA/O螯合剂；(4)用pH调节剂调整上述溶液使pH值在11.5～13.5范围内；(5)在调整完pH后，加入10～25ml的氧化剂；(6)使用上述抛光液在40～60℃温度、40～120rpm转速、0.1～0.2MPa、200～800ml/min流量的抛光工艺条件下，在抛光机上对基片进行抛光8～10min。
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