[发明专利]硅单晶片器件制备区域表面完美性的控制方法无效
| 申请号： | 200610014303.4 | 申请日： | 2006-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN1870227A | 公开（公告）日： | 2006-11-29 |
| 发明（设计）人： | 刘玉岭;檀柏梅 | 申请（专利权）人： | 河北工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/30 | 分类号： | H01L21/30 |
| 代理公司： | 天津市三利专利商标代理有限公司 | 代理人： | 刘英兰 |
| 地址： | 30013*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提高硅单晶衬底片表面完美性的工艺控制方法，其实施步骤是：(1)在硅片抛光清洗后对其表面进行氧化处理，即在硅片抛光清洗后浸泡于含有双氧水或臭氧的纯水中，使硅片表面生成3－5nm的洁净氧化层，将硅片表面封闭，有效保护防沾污；(2)对划片区进行重掺杂，制作失配位错网络，释放器件区域应力，并吸除器件区域的金属杂质。本发明根据硅单晶衬底片加工的工艺特点，运用背封保护硅片、划片区进行重掺杂制作失配位错网络等工艺，获得制备器件区域表面完美性好的硅片。该方法操作简单，不需添加其它设备，成本低、效率高、无污染，可明显改善器件性能，提高成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 器件 制备 区域 表面 完美 控制 方法 | ||
【主权项】：
1、一种提高硅单晶衬底片表面完美性的工艺控制方法，其实施步骤是：(1)在硅片抛光清洗后对其表面进行氧化处理，即在硅片抛光清洗后浸泡于含有双氧水或臭氧的纯水中，使硅片表面生成洁净氧化层，将硅片表面封闭；(2)对划片区进行重掺杂，制作失配位错网络，释放器件区域应力，并吸除器件区域的金属杂质。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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