[发明专利]硅单晶衬底材料表面粗糙度的控制方法有效
| 申请号： | 200610014304.9 | 申请日： | 2006-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN1864926A | 公开（公告）日： | 2006-11-22 |
| 发明（设计）人： | 刘玉岭;檀柏梅 | 申请（专利权）人： | 河北工业大学 |
| 主分类号： | B24B29/02 | 分类号： | B24B29/02;H01L21/304;C09G1/02;C09G1/04 |
| 代理公司： | 天津市三利专利商标代理有限公司 | 代理人： | 刘英兰 |
| 地址： | 30013*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅单晶衬底材料表面粗糙度的控制方法，根据硅单晶衬底材料的化学性质，选用碱性介质，采用SiO2水溶胶作为磨料，用pH调节剂调整溶液的pH值为9－13.5，并加入FA/O等表面活性剂来制备抛光液。该方法采用不同抛光工艺条件下的粗抛、精抛两步抛光法进行抛光；用粗抛液在流量100－200ml/min，温度30－40℃，转速40－120rpm，压力0.10－0.20MPa的抛光工艺条件下，在抛光机上对硅单晶衬底材料进行抛光10－20min。用精抛液在流量800－1000ml/min，温度20－30℃，转速30－60rpm，压力0.05－0.10Mpa的抛光工艺条件下，在抛光机上对硅单晶衬底材料进行抛光4－7min。实现硅单晶衬底材料表面的低粗糙度，以满足工业上对硅单晶衬底片CMP精密加工的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 硅单晶 衬底 材料 表面 粗糙 控制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅单晶衬底材料表面粗糙度的控制方法，其特征是在同一台抛光机上使用二步抛光法，实施步骤如下：(1)第一步使用粗抛液进行抛光：a.将粒径为15-100nm、浓度为30-50％的SiO2磨料用去离子水稀释；b.用pH调节剂调整上述溶液，使pH值在9-13.5范围内；c.在调整完pH值后，边搅拌边加入0.5-1.5％的醚醇类活性剂；d.使用上述粗抛液在流量100-200ml/min，温度30-40℃，转速40-120rpm，压力0.10-0.20MPa的抛光工艺条件下，在抛光机上对硅单晶衬底材料进行抛光10-20min；(2)第二步使用精抛液进行抛光：a.选用粒径为15-25nm、浓度为30-50％的SiO2磨料用去离子水稀释；b.用pH调节剂调整上述溶液，使pH值在9-12范围内；c.在调整完pH值后，边搅拌边加入0.5-1.5％的FA/O表面活性剂；d.使用上述精抛液在流量800-1000ml/min，温度20-30℃，转速30-60rpm，压力0.05-0.10Mpa的抛光工艺条件下，在抛光机上对硅单晶衬底材料进行抛光4-7min。
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