[发明专利]等离子处理高阻隔膜工艺无效
| 申请号： | 200610014376.3 | 申请日： | 2006-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN101092684A | 公开（公告）日： | 2007-12-26 |
| 发明（设计）人： | 田守文 | 申请（专利权）人： | 天津市大阳工贸有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/00 | 分类号： | C23C14/00;C23C14/02;C23C14/46;C23C14/10;C23C14/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 301600天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及等离子处理包装阻隔膜工艺。本发明可用PET、OPP、铝箔、PE薄膜作基材，第一步薄膜卷材上料并施加张力，第二步真空室抽真空，第三步设定并调整两种等离子惰性气体气源，第四步薄膜放卷进行等离子处理，第五步薄膜等离子沉积铝或二氧化硅并收卷即可。本发明只是将薄膜卷材上料并施加张力，真空室抽真空，设定并调整两种等离子气源，薄膜放卷进行等离子处理，薄膜等离子沉积并收卷即可完成，具有生产成本低、生产工艺简单、产品质量可靠的优点，可替代进口，节省大量外汇，经济效益也很显著。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子 处理 阻隔 工艺 | ||
【主权项】：
1、等离子处理高阻隔膜工艺，其特征在于：可用PET、 OPP、铝箔、PE薄膜作基材，第一步薄膜卷材上料并施加张力，第二步真空室抽真空，第三步设定并调整两种等离子惰性气体气源，第四步薄膜放卷进行等离子处理，第五步薄膜等离子沉积铝或二氧化硅并收卷即可。
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