[发明专利]一种用于硅晶片的精抛液无效
| 申请号： | 200610014414.5 | 申请日： | 2006-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN101092541A | 公开（公告）日： | 2007-12-26 |
| 发明（设计）人： | 仲跻和;李家荣;周云昌;吴亮 | 申请（专利权）人： | 天津晶岭电子材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;C09G1/14;H01L21/304 |
| 代理公司： | 国嘉律师事务所 | 代理人： | 高美岭 |
| 地址： | 300457天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种用于硅晶片的精抛液，由复合磨料、表面活性剂、螯合剂、pH值调节剂和去离子水组成，各种成分所占的重量百分比为：复合磨料5～30％；表面活性剂0.1～1％；螯合剂0.1～1％；pH值调节剂1～6％；去离子水为余量。其中复合磨料由水溶硅溶胶与Al2O3或CeO2的水溶胶复合构成，二者重量比为4∶1；其粒径范围为10nm～60nm。本发明所制备的精抛液优点是：磨料粒径小，抛光后晶片表面无损伤；复合磨料抛光速率快，且流动性好；采用有机碱作为pH调节剂，无钠离子沾污；采用非离子型表面活性剂，使磨料和反应产物容易从片子表面去除，容易清洗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 晶片 精抛液 | ||
【主权项】：
1.一种用于硅晶片的精抛液，其特征在于：由复合磨料、表面活性剂、螯合剂、PH值调节剂和去离子水组成，各种成分所占的重量百分比为：复合磨料5～30％；表面活性剂0.1～1％；螯合剂0.1～1％；PH值调节剂1～6％；去离子水为余量。
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