[发明专利]一种用于二氧化硅介质的抛光液及其制备方法无效
| 申请号： | 200610014597.0 | 申请日： | 2006-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN101096573A | 公开（公告）日： | 2008-01-02 |
| 发明（设计）人： | 仲跻和;李家荣;周云昌;高如山 | 申请（专利权）人： | 天津晶岭电子材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;C09G1/04 |
| 代理公司： | 国嘉律师事务所 | 代理人： | 卢枫 |
| 地址： | 300385天津市天*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种用于二氧化硅介质的抛光液，其特征在于它是由磨料、表面活性剂、pH值调节剂、氧化剂和去离子水混合组成，其中磨料占总重量的10～50％，表面活性剂占总重量的0.01～0.6％，pH值调节剂占总重量的1～6％，氧化剂占总重量的0.01～15％，去离子水占总重量的28.4～88.98％，抛光液pH值范围为11～12，粒径为15nm～100nm。其制备方法为取料、过滤净化、搅拌、混合均匀即可。本发明的优越性在于：抛光液是碱性，不腐蚀污染设备，容易清洗；二氧化硅介质抛光速率快，平整性好；采用非离子型表面活性剂，能对磨料和反应产物从衬底表面产生有效的吸脱作用；工艺简单，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 二氧化硅 介质 抛光 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于二氧化硅介质的抛光液，其特征在于它是由磨料、表面活性剂、PH值调节剂、氧化剂和去离子水混合组成，其中磨料占总重量的10～50％，表面活性剂占总重量的0.01～0.6％，PH值调节剂占总重量的1～6％，氧化剂占总重量的0.01～15％，去离子水占总重量的28.4～88.98％，抛光液PH值范围为11～12，粒径为15nm～100nm。
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