[发明专利]外置式脑深部刺激器及其自对准装置有效
申请号: | 200610016106.6 | 申请日: | 2006-10-08 |
公开(公告)号: | CN1939552A | 公开(公告)日: | 2007-04-04 |
发明(设计)人: | 李刚;于超;兰颖;林凌 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | A61N1/372 | 分类号: | A61N1/372;A61N1/36 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 | 代理人: | 江镇华 |
地址: | 300072天津*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及脑深部刺激器,属于医疗器械领域。本发明提供一种用于外置式脑深部刺激器的对准装置,该种外置式脑深部刺激器利用设置于体外的激励线圈和设置于体内的感应输出线圈进行体内外的信号耦合,对准装置包括设置在体外并靠近激励线圈的永磁体、设置在激励线圈内的磁芯和设置在感应输出线圈内的磁芯。本发明还提供一种采用此种对准装置的外置式脑深部刺激器。本发明提供的用于外置式脑深部刺激器的对准装置,可以在10mm范围内自动找准,具有较高的耦合效率。 | ||
搜索关键词: | 外置 式脑深部 刺激 及其 对准 装置 | ||
【主权项】:
1.一种用于外置式脑深部刺激器的对准装置,该种外置式脑深部刺激器利用设置于体外的激励线圈和设置于体内的感应输出线圈进行体内外的信号耦合,其特征在于,所述对准装置包括设置在体外并靠近激励线圈的永磁体、设置在激励线圈内的磁芯和设置在感应输出线圈内的磁芯。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学,未经天津大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200610016106.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:基于饱和蒸汽压的水蒸气校准吸收池
- 下一篇:利用激光检测贴附导电薄膜的方法