[发明专利]多金属氧簇有机/无机杂化液晶材料的制备方法无效
申请号: | 200610017146.2 | 申请日: | 2006-08-30 |
公开(公告)号: | CN1919970A | 公开(公告)日: | 2007-02-28 |
发明(设计)人: | 李文;尹升燕;吴立新 | 申请(专利权)人: | 吉林大学 |
主分类号: | C09K19/52 | 分类号: | C09K19/52 |
代理公司: | 长春吉大专利代理有限责任公司 | 代理人: | 张景林;刘喜生 |
地址: | 130023吉林省*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | 本发明属于化学领域,具体涉及一种利用含有介晶基团的阳离子表面活性剂,通过静电相互作用包覆带有负电荷的无机多金属氧簇形成复合物,进而制备含多金属氧簇有机/无机杂化液晶材料的方法。主要包括含介晶基团的阳离子表面活性剂的合成;介晶性阳离子表面活性剂静电包覆多金属氧簇制得杂化液晶材料两个技术步骤。这种方法的最大特点是利用介晶性表面活性剂静电包覆多金属氧簇能够诱导形成的复合物表现出热致液晶行为。通过这种方法制得的杂化材料兼具多金属氧簇的功能特性和液晶分子的各向异性和响应性。此外这种方法对于常见的多金属氧簇能够普遍适用,因此可用于制备具有功能特性的液晶材料。 | ||
搜索关键词: | 金属 有机 无机 液晶 材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、多金属氧簇有机/无机杂化液晶材料的制备方法,包括适合于包覆多金属氧簇的含介晶基团阳离子表面活性剂的合成以及阳离子表面活性剂对多金属氧簇进行静电包覆两个步骤,其特征在于:(1)适合于包覆多金属氧簇的含介晶基团阳离子表面活性剂的合成是通过含介晶基团的卤代烷与三级胺或者是含介晶基团的卤代烷与二级胺进行两步反应季铵化实现的;(2)含介晶基团阳离子表面活性剂静电包覆多金属氧簇来制备液晶性复合物是通过有机-无机两相包覆的方法实现的:首先将待包覆的多金属氧簇溶于水中,浓度为10-30毫克/毫升,保持水溶液的温度在40-50摄氏度;另将含介晶基团的阳离子表面活性剂溶于氯仿中,浓度为0.02-0.07mol/L,控制二者用量,使多金属氧簇的总电荷数与表面活性剂的总电荷数的比值为1∶0.9-1∶1,在搅拌状态下,将表面活性剂的氯仿溶液以1.0-1.3毫升/分钟的速度滴加到多金属氧簇水溶液中;保持温度在40-50摄氏度条件下,继续搅拌4-5小时后用分液漏斗分出有机相,有机相再用水洗2-3次,然后加入反应体系总重量20-40%的无水硫酸钠干燥30-60分钟后过滤,蒸干溶剂,即得到含介晶基团阳离子表面活性剂包覆的多金属氧簇复合物。
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