[发明专利]写一次读多次有机存储器件及其制备方法

摘要

本发明属于一种用有机半导体材料作为有源介质的写一次读多次有机存储器件及其制备方法。采用简单夹层结构，把有机半导体薄膜热蒸镀在阴极和阳极之间，制备成结构为阴极层/有机层/阳极层器件。制备的器件具有写一次读多次存储功能，最大开关电流比达到10⁵数量级，具有制备工艺简单、材料选择范围宽、稳定性好的特点，在信息存储领域中具有良好的应用前景。

主权项

1、一种写一次读多次有机存储器件，其特征在于，它是由衬底层(1)、阴极层(2)、有机层(3)和阳极层(4)构成的；金属阴极层(2)、有机半导体层(3)和金属阳极层(4)是在衬底层(1)上依次蒸镀的；衬底层(1)是玻璃、聚碳酸酯柔性衬底或无机半导体Si衬底；阴极层(2)是铟锡氧化物(ITO)；有机层(3)是传输电子的N型有机半导体材料或传输空穴的P型有机半导体材料；其中N型有机半导体材料是：8-羟基喹啉铝、二(2-甲基-8-羟基喹啉)-(4-苯基苯酚)铝、2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-邻二氮杂菲、2-(4-叔丁苯基)-5-联苯基恶二唑和氟化酞氰铜任何一种；其中P型有机半导体材料是：酞氰铜、并五苯、N，N’-双(1-萘基)-N，N’-二苯基-1，1’-二苯基-4，4’-二胺、4，4’-N，N’-二咔唑基-联苯和N，N’-二苯基-N，N’-二(3-甲基-苯基)-1，1’-联苯-4，4’二胺任何一种；阳极层(4)是金属铝、钙或镁。