[发明专利]一种制备光刻胶图形的方法

摘要

本发明属于微电子和光电子器件领域，涉及器件制作工艺过程中采用光刻进行器件图形转移的制备技术。该方法采用一种正性光刻胶，按照光刻工艺通常的方法，先在样品表面上旋涂第一层光刻胶，其特征是前烘后不用光刻版掩蔽即进行大面积曝光。然后在已经大面积曝光的第一层光刻胶表面旋涂第二层光刻胶，前烘后用光刻版进行图形掩蔽后曝光。曝光后进行显影，在第一层和第二层均显透，观察到清晰的图形后再加长一定时间显影使第一层光刻胶的图形边界深入到位于其上第二层光刻胶图形的底部，形成具有倒梯形或倒凸字形(undercut)形截面的光刻胶图形。该技术重复性好，简便易行，便于推广。

主权项

1.一种制备光刻胶图形的方法，其特征在于：(1)、采用两层光刻胶；(2)、在旋涂第二层光刻胶之前不用光刻版掩蔽即对第一层光刻胶进行大面积曝光；(3)、采用在显影出现清晰图形后再延长1/3或1/4时间进行显影的方法；(4)、光刻胶采用正性紫外光刻胶。