[发明专利]用于同时检测Cu2+、Pb2+、Cd2+的阵列式薄膜传感器及其制备方法

摘要

本发明涉及用于同时检测Cu²⁺、Pb²⁺、Cd²⁺的阵列式薄膜传感器及基制备方法，以p型或n型Si片作基底，在基底上依次为SiO₂层，对Cu²⁺、Pb²⁺、Cd²⁺敏感的三种薄膜；该薄膜传感器是通过激光脉冲沉积技术在SiO₂表面上制备三种敏感薄膜，采用激光沉积技术把三个敏感材料分别制备在SiO₂表面上，最后形成三种阵列式薄膜传感器。它对溶液中的Cu²⁺、Pb²⁺、Cd²⁺具有选择性，能检测出Cu²⁺、Pb²⁺、Cd²⁺的含量。本发明可在江河湖泊、生物医学领域(如血液、体液)、工业废水、中药、蔬菜、水果、茶叶等领域中对Cu²⁺、Pb²⁺、Cd²⁺同时进行定性和定量检测。

主权项

1、一种用于同时检测Cu2+、Pb2+、Cd2+的阵列式薄膜传感器，以p型或n型Si片作基底，在基底上为SiO2层，SiO2层上面为对Cu2+、pb2+、Cd2+敏感的三种薄膜。