[发明专利]一种水平掺铬半绝缘砷化镓晶体的生长设备无效
| 申请号： | 200610017717.2 | 申请日： | 2006-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN101063233A | 公开（公告）日： | 2007-10-31 |
| 发明（设计）人： | 李百泉;郑松龄 | 申请（专利权）人： | 新乡市神舟晶体科技发展有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/42 | 分类号： | C30B29/42;C30B25/00 |
| 代理公司： | 新乡市平原专利有限责任公司 | 代理人： | 马既森 |
| 地址： | 453000*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种水平掺铬半绝缘砷化镓晶体的生长设备，它包括一个水平放置的筒形热场装置，热场装置内对应于保温层上的视窗在反应室内反应舟的籽晶腔下部设有一个砷压腔。本发明用一个反应室来完成掺铬半绝缘砷化镓晶体的生长过程，使设备简化，制造容易，晶体生长成本低，而且只用一个加热体热稳定性好，成晶率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 水平 掺铬半 绝缘 砷化镓 晶体 生长 设备 | ||
【主权项】：
1、一种水平掺铬半绝缘砷化镓晶体的生长设备，它包括一个水平放置的筒形热场装置，其特征在于：热场装置内对应于保温层上的视窗在反应室内反应舟的籽晶腔下部设有一个砷压腔。
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