[发明专利]P型太阳能电池等级多晶硅制备工艺有效
申请号: | 200610017755.8 | 申请日: | 2006-05-08 |
公开(公告)号: | CN1935647A | 公开(公告)日: | 2007-03-28 |
发明(设计)人: | 高文秀 | 申请(专利权)人: | 高文秀 |
主分类号: | C01B33/02 | 分类号: | C01B33/02;H01L31/04 |
代理公司: | 郑州联科专利事务所 | 代理人: | 田小伍 |
地址: | 210083*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种p型太阳能电池等级多晶硅的制备工艺,制备工艺依次包括如下步骤:(1)选择高品位硅石作原料;(2)以高纯石油焦与煤炭的混合物为还原剂还原硅石;(3)中频炉温度分区精炼;(4)高温电磁搅拌离心除杂;(5)高温中高频振动除杂;(6)脱磷;(7)铸锭。本发明从硅石做起,纯度自低到高(不同于目前国际上的纯度自高而低的传统工艺),工艺简明、电耗降低、产出率高、无粉尘、振动、排污、腐蚀、爆炸等环保安全问题,可大幅降低目前太阳能电池的原料成本。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 等级 多晶 制备 工艺 | ||
【主权项】:
1、p型太阳能电池等级多晶硅制备工艺,其特征在于,依次包括如下步骤:(1)硅石选择:选择单种金属元素含量低于100ppmWt、总金属含量低于3000ppmWt、III族非金属元素含量低于0.1ppmWt和V族非金属元素含量低于100ppmWt的硅石作原料;(2)硅石还原:采用金属硅矿热炉和高电流密度石墨电极还原硅石,还原剂选用单种金属元素含量低于100ppmWt、总金属含量低于3000ppmWt和III族非金属元素含量低于0.1ppmWt的石油焦与煤炭的混合物,煤炭占还原剂总重量的-30%;(3)中频炉温度分区精炼:利用中频炉在1450-1800℃之间进行温度分区精炼,中间吹氧、漂渣除杂;(4)高温电磁搅拌离心除杂:利用旋转强电磁场搅动硅水,使杂质沿半径方向分布,祛除芯部和周边部高杂质区域;(5)高温中高频振动除杂:熔融上述工序所得块状硅料,硅汤浇注入外侧面用厚铁板密贴包围的保温包中,控制温度1500-1800℃、通过外围的非接触交变强磁场振动、保温静置,然后转至保温中间包运送到下道工序;(6)脱磷:将保温中间包置于密封容器中,抽真空至稳定在10-3Torr以下,然后充以略高于1大气压的惰性气体,利用强电子枪轰击硅水幕除磷,除磷后的硅水用加温坩埚承接转运至下一工序;(7)铸锭:坩埚运送至铸锭炉上方,硅水泄入经预热的铸锭炉内铸锭。
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